Navitas是唯一一家專注于下一代功率半導(dǎo)體的公司，也是氮化鎵（GaN）功率IC和碳化硅（SiC）技術(shù)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，該公司宣布推出世界上首款8.5kW電源裝置（PSU），采用GaN和SiC技術(shù)，效率高達(dá)98%，適用于下一代AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。

經(jīng)過AI優(yōu)化的54V輸出PSU符合開放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）和Open Rack v3（ORv3）規(guī)范，并采用高功率GaNSafe和Gen-3 Fast SiC MOSFET，配置為三相交錯PFC和LLC拓?fù)洌源_保最高的效率和性能，同時減少組件數(shù)量。PSU的PFC和LLC均采用三相拓?fù)洌ǘ偁嶱SU使用的是兩相拓?fù)洌蓪?shí)現(xiàn)業(yè)界最低的紋波電流和EMI。此外，與最接近的競爭系統(tǒng)相比，PSU 將GaN和SiC器件的數(shù)量減少了25%，從而降低了總體成本。PSU的輸入電壓范圍為180至264Vac，待機(jī)輸出電壓為12V，工作溫度范圍為-5oC至45oC。8.5kW時的保持時間為10ms，通過延長器可以達(dá)到20ms。

三相LLC拓?fù)溆筛吖β蔊aNSafe實(shí)現(xiàn)，它專為要求嚴(yán)格的高功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如AI數(shù)據(jù)中心和工業(yè)市場。Navitas第四代集成了控制、驅(qū)動、傳感和關(guān)鍵保護(hù)功能，可實(shí)現(xiàn)前所未有的可靠性和穩(wěn)健性。GaNSafe是世界上最安全的GaN，具有短路保護(hù)（最大延遲350ns）、所有引腳上的2kV ESD保護(hù)、消除負(fù)柵極驅(qū)動和可編程斜率控制。所有這些功能均通過4引腳控制，允許將封裝視為分立的GaN FET，無需VCC引腳。適用于1kW至22kW的應(yīng)用，TOLL和TOLT封裝中的650V GaNSafe可提供25至98mΩ的R DS（ON）MAX范圍。

三相交錯式CCM TP-PFC由具有“溝槽輔助平面”技術(shù)的第三代快速SiC MOSFET供電，并在溫度方面提供世界領(lǐng)先的性能，實(shí)現(xiàn)低溫運(yùn)行、快速切換和卓越的穩(wěn)健性，以支持更快充電電動汽車和超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心。

Navitas首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“這款完整的GaN和SiC寬帶隙解決方案使Navitas的AI電源路線圖得以延續(xù)，該路線圖實(shí)現(xiàn)了8.5kW功率，并計(jì)劃在近期內(nèi)將功率提高到12kW及更高水平。全球多達(dá)95%的數(shù)據(jù)中心無法滿足運(yùn)行NVIDIA最新Blackwell GPU的服務(wù)器的功率需求，這凸顯了生態(tài)系統(tǒng)的準(zhǔn)備不足。這款PSU設(shè)計(jì)直接解決了AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心面臨的挑戰(zhàn)。”