韓國SK海力士周四公布了2018年以來的最高季度利潤，海力士表示，今年下半年AI芯片需求將進(jìn)一步上升，例如生成式AI芯片組中使用的高帶寬內(nèi)存（HBM）。

這是SK海力士繼去年虧損后連續(xù)第三個季度實(shí)現(xiàn)盈利。

這家全球第二大內(nèi)存芯片制造商早期進(jìn)入該領(lǐng)域并投入巨資，從人工智能驅(qū)動的高端芯片和企業(yè)固態(tài)硬盤（eSSD）市場需求中獲益最多。

SK海力士首席財務(wù)官Kim Woohyun表示：“公司將在穩(wěn)定的財務(wù)結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步鞏固在人工智能內(nèi)存產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！?/p>

該公司公布，4月至6月當(dāng)季營業(yè)利潤為5.47萬億韓元，而去年同期虧損2.9萬億韓元。

這是SK海力士自2018年第三季度以來的最高利潤，SK海力士本季度營收同比增長125%，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的16.4萬億韓元。

目前，對HBM等高端DRAM芯片以及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和運(yùn)行設(shè)備AI服務(wù)的設(shè)備中使用的芯片的市場需求激增，推高了芯片價格。

SK海力士是英偉達(dá)的主要HBM芯片供應(yīng)商，在HBM市場處于領(lǐng)先地位，與美國競爭對手 Micron以及三星展開競爭，當(dāng)下英偉達(dá)占據(jù)了大約80%的AI芯片市場。

消息人士向路透社透露，SK海力士于今年3月開始量產(chǎn)第五代HBM芯片（稱為HBM3E），首批產(chǎn)品將供應(yīng)給英偉達(dá)。

鑒于英偉達(dá)預(yù)計將加快其下一代GPU計劃，以滿足生成式AI熱潮帶來的飆升市場需求，到 2024年底，HBM可能占SK海力士DRAM芯片利潤的20%。

今年5月，SK海力士首席執(zhí)行官Kwak Noh-Jung表示，旗下HBM芯片今年已售罄，2025年也幾乎售罄。

據(jù)patentlyapple報道，早在今年3月，由于受主要閃存供應(yīng)商Kioxia污染事件影響，蘋果便開始尋找替代NAND 閃存芯片的供應(yīng)商，如今，蘋果從三星和SK海力士獲得了新芯片。

近日我們了解到，蘋果供應(yīng)商SK海力士開發(fā)了全球最高的238層4D NAND閃存，隨著AR 和VR應(yīng)用的增加，這將變得非常重要。

三星最近向其客戶交付了238層512Gb三級單元 (TLC) 4D NAND 產(chǎn)品的樣品，并計劃于2023年上半年開始量產(chǎn)。

SK海力士NAND開發(fā)負(fù)責(zé)人Choi Jung-dal表示：“SK海力士通過推出基于4D NAND技術(shù)的238層產(chǎn)品，在成本、性能、質(zhì)量等方面確保全球頂級競爭力。”

該產(chǎn)品在實(shí)現(xiàn)最高層數(shù)238層的同時，也是尺寸最小的NAND，這意味著它的整體生產(chǎn)率比176層NAND提高了34%，因?yàn)槊科A可以生產(chǎn)更多單位面積密度更高的芯片。

238層產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒2.4Gb，比上一代提升了50%，數(shù)據(jù)讀取能耗減少了21%，這一成就也符合SK海力士的ESG承諾。

238層產(chǎn)品最早將于2024年首先用于客戶端SSD，用作PC存儲，隨后是智能手機(jī)。

目前尚不清楚SK海力士是否贏得蘋果未來高端Mac或iPhone業(yè)務(wù)，盡管蘋果對其高價設(shè)備的頂級組件頗感興趣。

另一方面，三星也在美國加州圣克拉拉會議中心舉行的2022年閃存峰會上宣布了新的NAND 閃存解決方案。

三星在今年5月開發(fā)的業(yè)界首款UFS 4.0移動存儲計劃本月開始量產(chǎn)，新的UFS 4.0將成為旗艦智能手機(jī)的關(guān)鍵組件，以實(shí)現(xiàn)對高分辨率圖像和圖形密集型手機(jī)游戲的大量數(shù)據(jù)處理，未來，還將應(yīng)用于移動通信、VR和AR。