據(jù)外媒IEEE Spectrum報道，Meta近日在IEEE ISSCC國際固態(tài)電路會議上展示了一款采用3D設(shè)計的AR芯片原型，該樣品在能效和性能方面均有大幅提升。

Meta此次展示的AR芯片原型來自其AR眼鏡項目Project Aria。AR 眼鏡身形狹小，又需隨身佩戴，因此對搭載的芯片在能效和性能方面均有高度要求。

Meta所展示的原型芯片由上下兩部分組成，每個部分尺寸為4.1×3.7mm，下部包含4個機器學(xué)習(xí)計算內(nèi)核與1MB本地內(nèi)存，上部包含3MB內(nèi)存。該芯片采用了臺積電SoIC高級封裝技術(shù)，將上下兩個芯片面對面地進行混合鍵合（Hybrid Bonding，即銅對銅的直接連接）。

臺積電SoIC高級封裝技術(shù)可實現(xiàn)2μm的凸塊間距。雖然Meta的原型芯片并未發(fā)揮SoIC技術(shù)的全部潛力，但兩層芯片中間仍存在33000個信號連接和600萬個電源連接；此外，在下部芯片底部，采用了TSV硅通孔實現(xiàn)電力輸入和信號傳出。

Meta表示，3D設(shè)計讓芯片在AR眼鏡的狹窄PCB空間中能以更少電力提供更多算力。該芯片上下部分間數(shù)據(jù)傳遞的功耗為0.15pJ/Byte，與同一芯片上的數(shù)據(jù)傳遞功耗類似。

在手部跟蹤方面，Meta的研究成果顯示，2D芯片僅能跟蹤一只手的動作，而使用3D芯片可同時跟蹤兩只手。3D芯片方案不僅比前者能耗降低40%，速度也快40%。

此外在圖像處理上，3D芯片技術(shù)也帶來了明顯提升：2D芯片僅能應(yīng)付壓縮圖像，而3D版本可在相同功耗下處理FHD分辨率的圖像數(shù)據(jù)。