根據(jù)消息來源和文件，兩家中國芯片制造商正處于生產(chǎn)用于人工智能芯片組高帶寬內(nèi)存（HBM）半導體的早期階段。

據(jù)三名知情人士透露，中國最大DRAM芯片制造商長鑫存儲已與芯片封裝測試公司通富微電合作開發(fā)了HBM芯片樣品。其中兩人表示，這些芯片正向客戶展示。

另一個例子是，企業(yè)數(shù)據(jù)庫Qichacha文件顯示，武漢新芯正在建設(shè)一家工廠，每月可生產(chǎn) 3000片12英寸HBM晶圓。

兩位知情人士表示，長鑫存儲和其他中國芯片公司還與韓國和日本半導體設(shè)備公司定期舉行會議，購買開發(fā)HBM的工具。

另外，據(jù)一位消息人士和另一位知情人士透露，華為計劃到2026年與其他國內(nèi)公司合作生產(chǎn)HBM2芯片。

HBM是一種DRAM標準，其中芯片垂直堆疊以節(jié)省空間并降低功耗，非常適合處理復雜人工智能應用產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)，并且隨著人工智能的發(fā)展，需求猛增。

HBM市場由韓國SK海力士（據(jù)分析師稱，直到最近為止，它還是人工智能芯片巨頭英偉大唯一HBM供應商）、三星以及美光科技（較小程度上）主導。這三家公司都生產(chǎn)最新標準HBM3芯片，并致力于今年向客戶推出第五代 HBM 或 HMB3E。

另據(jù)兩位消息人士和一位直接了解此事的人士透露，國內(nèi)目前的工作重點是HBM2。

White Oak Capital 投資總監(jiān)、前IT行業(yè)分析師 Nori Chiou表示：“長鑫存儲與通富微電的合作對于中國市場來說是一個重要的機會，可以提升其在HBM市場內(nèi)存和先進封裝技術(shù)方面的能力?！?/p>

長鑫存儲、通富微電和華為提交的專利表明，在國內(nèi)開發(fā)HBM至少可以追溯到三年前，根據(jù) AcclaimIP數(shù)據(jù)庫，長鑫存儲已在美國、中國和中國臺灣地區(qū)申請了近130項專利，涉及HBM芯片制造和功能相關(guān)的不同技術(shù)問題。其中，14篇于2022年出版，46篇于2023年出版，69篇于2024年出版。

上個月發(fā)布的一項專利顯示，長鑫存儲正在研究混合鍵合等先進封裝技術(shù)，以創(chuàng)造更強大的 HBM產(chǎn)品。另一份文件顯示，長鑫存儲還在投資開發(fā)創(chuàng)建HBM3所需的技術(shù)。