據(jù)patentlyapple報(bào)道，早在今年3月，由于受主要閃存供應(yīng)商Kioxia污染事件影響，蘋(píng)果便開(kāi)始尋找替代NAND 閃存芯片的供應(yīng)商，如今，蘋(píng)果從三星和SK海力士獲得了新芯片。

近日我們了解到，蘋(píng)果供應(yīng)商SK海力士開(kāi)發(fā)了全球最高的238層4D NAND閃存，隨著AR 和VR應(yīng)用的增加，這將變得非常重要。

三星最近向其客戶(hù)交付了238層512Gb三級(jí)單元 (TLC) 4D NAND 產(chǎn)品的樣品，并計(jì)劃于2023年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。

SK海力士NAND開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Choi Jung-dal表示：“SK海力士通過(guò)推出基于4D NAND技術(shù)的238層產(chǎn)品，在成本、性能、質(zhì)量等方面確保全球頂級(jí)競(jìng)爭(zhēng)力?！?/p>

該產(chǎn)品在實(shí)現(xiàn)最高層數(shù)238層的同時(shí)，也是尺寸最小的NAND，這意味著它的整體生產(chǎn)率比176層NAND提高了34%，因?yàn)槊科A可以生產(chǎn)更多單位面積密度更高的芯片。

238層產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒2.4Gb，比上一代提升了50%，數(shù)據(jù)讀取能耗減少了21%，這一成就也符合SK海力士的ESG承諾。

238層產(chǎn)品最早將于2024年首先用于客戶(hù)端SSD，用作PC存儲(chǔ)，隨后是智能手機(jī)。

目前尚不清楚SK海力士是否贏得蘋(píng)果未來(lái)高端Mac或iPhone業(yè)務(wù)，盡管蘋(píng)果對(duì)其高價(jià)設(shè)備的頂級(jí)組件頗感興趣。

另一方面，三星也在美國(guó)加州圣克拉拉會(huì)議中心舉行的2022年閃存峰會(huì)上宣布了新的NAND 閃存解決方案。

三星在今年5月開(kāi)發(fā)的業(yè)界首款UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)計(jì)劃本月開(kāi)始量產(chǎn)，新的UFS 4.0將成為旗艦智能手機(jī)的關(guān)鍵組件，以實(shí)現(xiàn)對(duì)高分辨率圖像和圖形密集型手機(jī)游戲的大量數(shù)據(jù)處理，未來(lái)，還將應(yīng)用于移動(dòng)通信、VR和AR。